スポンサーサイト

上記の広告は1ヶ月以上更新のないブログに表示されています。
新しい記事を書く事で広告が消せます。

次世代メモリー最有力候補は相変化メモリ

福田昭のセミコン業界最前線 次世代メモリの最有力候補、「相変化メモリ」の量産が始まる

NANDフラッシュの代替となるかもしれない次世代メモリについての話題です。
相変化メモリー(PRAM)は数ある次世代メモリー候補の中でも大容量チップの量産がされていて
NumonyxとSamsungが推進しているため有望とのこと。

PRAMの利点はプロセス微細化に対して強いこと。
現行のNANDフラッシュでは22nmクラスのプロセスでは構造上使い物にならないようです。
信号の干渉が起きデータ記録をするのが難しくなる模様。
一方PRAMは5nmクラスでも普通に動くようです。

PRAMの課題は書き込みスピードの遅さでしょう。
90nmCMOS 128Mbitの評価用サンプルでWrite 1MB/sは遅すぎる。
現在Samsungが作っている60nmCMOS 512Mbitチップがどれだけ速いのか分かりませんが
PRAMの構造上書き込みスピードの高速化は難しいかと・・・
でもそれをがんばるのがメーカーと言うものなので書き込み高速化に期待しましょう。

スポンサーサイト

テーマ : 自作・改造
ジャンル : コンピュータ

コメントの投稿

非公開コメント

プロフィール

VitzRS

Author:VitzRS
AMD&ATI派です。
自作歴は現在3年です。
オーディオ等にも最近興味が出てきて改造したりしてます。
駄耳のため音質評価はあまり当てにならないかもしれません。

PCネタのほうは英語力が未熟なため誤植&勘違い多いです。
見つけたらコメント欄のほうで指摘していただければ幸いです。

コメント&トラックバック歓迎。
相互リンクも募集中です。

最新記事
最新コメント
最新トラックバック
月別アーカイブ
カテゴリ
FC2カウンター
検索フォーム
RSSリンクの表示
リンク
ブロとも申請フォーム

この人とブロともになる

QRコード
QRコード
上記広告は1ヶ月以上更新のないブログに表示されています。新しい記事を書くことで広告を消せます。